NAND产能增长趋于平稳，端侧AI推动终端容量需求持续上行。行业正通过提升单颗存储单元可存储的比特数，在有限产能下释放更多容量。容量上行与成本下压的矛盾，最终指向存储介质的密度选择。

面向这一需求，时创意推出基于QLC NAND的UFS 2.2嵌入式存储方案，以QLC的密度优势应对容量与成本的双重压力，同时通过纠错与写入增强机制解决QLC在移动终端落地的技术挑战。方案顺序读取速度最高1080MB/s，顺序写入速度最高860MB/s，覆盖128GB/256GB/512GB三档容量，目前已正式送样。

从密度到集成，UFS 2.2 QLC在五个维度上形成了完整的技术能力：

单元密度提升，降低单位容量成本

QLC每单元存放4bit，TLC每单元3bit，单元数量相同时数据量增加三分之一，在同等晶圆面积下实现更高存储密度。UFS 2.2 QLC方案基于这一密度优势，在既定成本下提供更大容量，或同等容量下降低单位成本，并针对QLC介质特性进行纠错与写入管理优化，保障方案在移动终端稳定落地。

三档容量，灵活匹配终端需求

UFS 2.2 QLC提供128GB、256GB、512GB三档容量，覆盖从基础到高容量的配置需求，为终端容量规划提供更灵活的选择空间。

顺序读写约为eMMC 5.1的3倍

UFS采用全双工串行设计，eMMC为半双工并行，两者在读写效率上存在架构差异。以eMMC 5.1在HS400模式下的常规水平为参照，UFS 2.2 QLC 512GB档的顺序读写速度约为其3倍。对终端而言，从eMMC迁移至UFS时，QLC方案可提供与同级TLC持平的顺序读写性能，并保留单位容量成本优势。

纠错与磨损管理，延长使用寿命

UFS 2.2 QLC方案搭载4K LDPC ECC纠错引擎与Write Booster写入增强机制，通过多码率校验与4KB码字保障数据读取准确性，并优化写入效率；配合固件层磨损均衡与垃圾回收管理，延长可用寿命。

薄型封装，适配主流SoC平台

UFS 2.2 QLC采用11.5×13.0×0.95mm BGA封装，适配轻薄机身内部空间；已完成UFS 2.2协议关键特性适配，可与主流移动SoC平台对接。

场景落地：三类终端的用量配置

UFS 2.2 QLC将这些技术能力集成于一颗嵌入式存储芯片之中。从中端手机到智能家居中控，不同定位的终端均有对应的容量配置。

中端与入门级5G手机：手机容量需求持续上行，QLC的单位容量成本优势可在既定预算内提供更大的存储配置，帮助终端在主流价位段提供更有竞争力的容量配置。

平板电脑与影音娱乐终端：本地内容与在线资源加载频繁，UFS 2.2的接口带宽可改善加载与启动的响应速度，配合QLC的密度优势，兼顾流畅体验与容量成本。

智能家居中控与语音交互设备：本地模型与交互数据带来持续的容量占用，128GB满足基础交互，256GB及以上承接更复杂的本地AI任务。

容量上行与成本下压，是端侧AI落地过程中同时出现的两项要求。时创意UFS 2.2 QLC方案以更高的存储密度回应前者，以单位容量成本优势回应后者，并配套提供参考设计、硬件适配文档与FAE技术支持。随着端侧AI持续落地，对大容量存储配置的需求仍将延续，时创意将推进该方案在更多容量与机型上的验证与适配。