近期，elexcon 2025深圳国际电子展在深圳会展中心(福田)盛大开幕。时创意将携全系列AI存储产品矩阵亮相1号馆1T12展位，集中展示应用于消费电子、数据中心、智能终端等多个领域的先进存储技术与创新产品，以技术突破赋能极致的存储体验，助力全球客户开拓“AI+”浪潮新商机。
▲时创意展台
当AI算力逐渐延伸至终端设备，存储系统的响应速度已成为制约整体运算效率的关键瓶颈。无论是超大规模训练集的数据吞吐，还是多任务并发运算中的实时读写，都对存储设备的性能提出极高要求。
基于此，时创意在此次展会上发布了首款PCIe 5.0满速无缓SSD——S14000 PCIe 5.0x4 NVMe SSD。该产品采用PCle Gen5x4 接口，顺序读写速度分别高达14000 MB/s、12000 MB/s，4K 随机读取速度高达 2100K IOPS；采用先进8通道Dram-Less主控，闪存接口速率高达3600MT/S，1TB~4TB海量存储空间，集高性能、低功耗、轻薄体积于一体，充分满足3A游戏加载、4K/8K超清视频剪辑、AI应用等场景需求，适用于AI PC、电竞设备、服务器等智能终端设备。
▲S14000 PCIe 5.0x4 NVMe SSD
S14000无缓设计方案具备以下三大显著优势：
【能效控制出色】：12nm低功耗主控搭配无缓架构，功耗较上一代PCIe 4.0产品降低约30%，高效散热控制，保障设备响应速度与运算效率；
【成本显著优化】：采用HMB（主机内存缓冲）技术调用系统内存作为缓存，取消了外置DRAM缓存，在维持高性能的同时优化成本；
【形态紧凑轻薄】：单面PCB布局，支持M.2 2280尺寸{80x22x2.25mm(Max)}，轻松兼容AI PC等下一代移动智能设备。
此外，时创意S14000 PCIe 5.0 SSD还支持端到端数据保护、动态写入加速、4K LDPC纠错算法和自适应热保护，进一步保证数据完整性和正确性，具备高可靠性与兼容性；支持APST NVMe自主功率状态转换，优化产品功耗并增加寿命。
以创新方案赋能AI应用进阶
据IDC预测，到2028年全球数据总量将增至394ZB。随着人工智能、大数据分析及生成式AI的爆发式增长，市场对高性能、低延迟、高容量存储芯片的需求攀升。生成式AI等前沿技术对存储系统的读写速度、耐久性和能效比提出了严峻挑战。在此次展会上，时创意重磅展示嵌入式存储芯片、DRAM内存模组、SSD固态硬盘及移动存储产品等多元化产品矩阵，满足AI眼镜、AI手机、AI手表等多场景对轻量化设计、“高存力”的需求:
时创意全系高性能存储产品
【ePOP】：0.6mm超薄厚度，传输速率达4266Mbps，支持16Gb+64GB容量，集强大读写、高速率、低功耗等优势于一体，为智能手表、智能眼镜、AR/VR等设备提供高能效存储解决方案，同时实现更为紧凑的组件空间。
【LPDDR5X】：传输速率达8533Mbps，引入多Bank Group模式、动态电压调节(DVFS)、自适应刷新管理等功能，相较上一代产品性能提升33%，功耗降低达25%，充分满足AI PC、AI手机等新一代智能终端的存储需求。
【Mini eMMC】: 小尺寸eMMC契合AI眼镜、智能手表/手环等超薄要求，尺寸仅7.2×7.2×0.8mm，4GB-128GB存储空间，有效提升设备传输速度，实现多任务处理响应。
▲ePOP、LPDDR5X、Mini eMMC
【UFS3.1】：面向新一代高端旗舰级移动设备，顺序读取速度高达2100MB/s，支持128GB-1TB容量，支持写入增强、深度睡眠、性能调整通知及主机性能增强技术。
【S14000 Pro】：顺序读写速度分别高达14000MB/s、13000MB/s，4TB超大容量，支持动态写入加速、4K LDPC纠错算法、自适应热保护等技术，助力AI模型训练、推理加速以及海量数据的高效处理。
【S7000 Pro】：PCIe 4.0 x4接口，顺序读写速度分别高达7400MB/s、6400MB/s，容量高达4TB，应用于高端台式电脑、电竞设备等领域，赋予极致流畅的操作体验。
UFS3.1、S14000 Pro、S7000 Pro
此次elexcon 2025展会，时创意以高性能存储技术及深厚研发能力积淀，全面展示了覆盖AI应用、AI服务器、智算中心等全场景存储创新解决方案，助力打造更智能、更流畅的下一代AI智能设备。
随着AI应用场景逐渐升级，时创意将持续深耕存储技术创新，紧跟AI技术演进带来的存储需求变革，致力存储产品在性能、功耗、集成度等方面的持续突破，为终端用户、企业客户及生态伙伴提供高性能、高可靠性的存储系列产品，同时加速服务AI终端产业链，推动从硬件性能到用户体验的全面进阶，赋能“AI+”产业智能生态。
▲现场合影
